تحقق Samsung تكديسًا ثلاثي الأبعاد لشريحة EUV مقاس 7 نانومتر والتي تشغل مساحة وطاقة أقل

تحقق Samsung تكديسًا ثلاثي الأبعاد لشريحة EUV مقاس 7 نانومتر والتي تشغل مساحة وطاقة أقل

بينما بدأت Samsung الإنتاج الضخم لشريحة 5 نانومتر من الجيل التالي ، تعمل الشركة جاهدة أيضًا لتحسين عملية 7 نانومتر الحالية. أعلنت شركة التكنولوجيا الكورية العملاقة أنها حققت نجاحًا في تطبيق تقنية التراص ثلاثية الأبعاد على رقائق الأشعة فوق البنفسجية البالغة 7 نانومتر (نانومتر).

تطلق Samsung على التكنولوجيا eXtended-Cube أو X-Cube وهي تتضمن تكديس ذاكرة SRAM أعلى القالب المنطقي. يتم ذلك باستخدام تقنية Samsung عبر السيليكون عبر (TSV) التي تستخدم ثقوبًا صغيرة لربط الطبقات على الرقائق.

تختلف هذه العملية بشكل ملحوظ عن تلك المستخدمة في أشباه موصلات النظام التقليدي التي لها منطق يموت مثل CPU و GPU على نفس المستوى مثل SRAM. في حالة X-Cube ، فإنه يكدس SRAM فوق المنطق الذي يحتل مساحة أقل ويساعد في توفير الطاقة بشكل أكثر كفاءة. كشفت شركة Samsung أيضًا أن العملية الجديدة ستؤدي إلى زيادة سرعة نقل البيانات.

أكدت شركة التكنولوجيا الكورية الجنوبية العملاقة أنها ستستمر في دفع الحدود من حيث تطوير تكنولوجيا جديدة للنهوض بتكنولوجيا أشباه الموصلات. ليس لدينا فكرة عن المكان الذي ستطبق فيه Samsung هذه الشرائح لأول مرة ولكن هناك تكهنات بأن Galaxy S1 قد يستخدم نسخة محسّنة من Exynos 990 في حين أن Galaxy S21 Ultra سيحتوي على 5nm Exynos 1000 وهذا ممكن.

كن دائمًا أول من يعرف – تابعنا!

Khaled Taha

كاتب تقني، متحمس للتكنولوجيا، ومتابع جيد لكل جديد في عالم الهواتف الذكية.

اخبار ذات صلة

اترك تعليقاً

لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني. الحقول الإلزامية مشار إليها بـ *