في منصة تفاعلية مؤخرًا ، ألمحت شركة تصنيع أشباه الموصلات الدولية (SMIC) ومقرها شنغهاي إلى أنها بدأت الإنتاج التجريبي على نطاق صغير من الجيل الثاني من عملية N + 1 FinFET. تم الكشف عن ذلك ردًا على سؤال أحد المستثمرين حول التقدم الذي أحرزته الشركة في البحث والتطوير وإنتاج منتجات 7 نانومتر.
أعلنت SMIC لأول مرة أنها حققت الإنتاج الضخم لعملية 14 نانومتر الأكثر تقدمًا في الصين في عام 2019. هذه العملية هي الجيل الأول للشركة من عمليات FinFET وبدأت الإنتاج الضخم في الربع الأخير من عام 2019. نشرت الشركة العملية لتصنيع شرائح Hisilicon Kirin 710A التي تم استخدامها أولاً في Honor Play 4T ثم على اثنين من منتجات Huawei الأخرى.
في سبتمبر من هذا العام ، عندما طلب المستثمرون التحقق من الأخبار الداخلية حول الإنتاج الضخم لرقائق الجيل التالي ، أجابت SMIC أن عملية الجيل الثاني FinFET N + 1 قد دخلت بالفعل مرحلة تقديم العميل. كما ألمحت الشركة إلى أنه من المتوقع أن يبدأ الإنتاج على نطاق صغير (الإنتاج التجريبي) بحلول نهاية عام 2020.
في أكتوبر من هذا العام ، أعلنت شركة INNOSILICON الصينية ذات المحطة الواحدة IP والشرائح المخصصة أنها أكملت أول شريط واختبار للرقائق في العالم على أساس عملية SMIC’s FinFET N + 1 المتقدمة. جميع عناوين IP داخلية ، بوظائف لمرة واحدة.
فيما يتعلق بعملية N + 1 ، كشف الرئيس التنفيذي لشركة SMIC Liang Mengsong في وقت سابق من هذا العام أن العملية مشابهة جدًا لعملية 7 نانومتر من حيث القوة والاستقرار ، ولا تتطلب الطباعة الحجرية EUV. يتم استدعاء عقد عملية N + 1 الجديدة 8 نانومتر أو عملية 7 نانومتر في مرحلة مبكرة. هذه العملية موجهة نحو تطبيقات الطاقة المنخفضة. بالمقارنة مع عملية 14 نانومتر ، فإن عملية SMIC N + 1 لديها زيادة بنسبة 20٪ في الأداء وتخفيض بنسبة 57٪ في استهلاك الطاقة ، بينما يجب أن تكون زيادة أداء السوق القياسي 7 نانومتر 35٪.
على الرغم من أن هذا يصل كخبر إيجابي ، إلا أن SMIC لا تزال متأخرة عن TSMC بسنوات والتي انتقلت إلى عملية 5 نانومتر وتعمل حاليًا على الجيل التالي من عقدة 3 نانومتر.
كن دائمًا أول من يعرف – تابعنا!
